
Sprache
Suche
- 4th International SAXS/GISAXS Workshop (PDF)
Sep 09-11, Leoben, Austria - Navigated Atomic Force Microscopy - N8 NEOS
Sep 15, Free Webinar - 17th Bruker Users‘ Group Meetings 2010 - Single Crystal X-ray Diffraction
Sep 19-22, Karlsruhe, Germany - Good Diffraction Practice III - Powder XRD Instrumentation and Data Quality
Sep 30, Free Webinar - COM2010 - Conference of Metallurgists
Oct 03-06, Vancouver, British Columbia, Canada
![]() |
XFlash® 5010 Detektor
Das Herzstück dieses innovativen Systems ist ein Silizium-Chip, der nach dem Driftkammer-Prinzip arbeitet.
Durch das spezielle Design und einen im Detektor integrierten Ladungsverstärker kann der XFlash® außerordentlich hohe Impulsraten verarbeiten und zeigt dabei eine sehr gute Energieauflösung, wie sie von keinem anderen Silizium-basierten energiedispersiven Detektor erreicht wird. Ergebnisse, für die Sie früher Stunden gebraucht haben, sind jetzt binnen Minuten auf Ihrem Tisch.
Der XFlash® 5010 bietet Ihnen folgende Vorteile
- ausgezeichnete Energieauflösung (Version mit 123 eV bei MnKα und 100 000 cps verfügbar)
- extrem hohe Impulsbelastbarkeit,
- exzellente Leichtelement-Performance (Version mit Be-Detektion verfügbar),
- keine aufwändigen, schwingungserzeugenden Kühlaggregate,
- niedrige Betriebskosten,
- wartungsfreier Betrieb,
- kleine Einbaumaße,
- geringes Gewicht,
- günstiger Preis.
Anwendungsgebiete für den XFlash® 5010 sind
- EDX-Systeme für REMs
- Schnelle Mappingsysteme für REMs
- Hochauflösungs-RFA-Spektrometer


